HP9600

For Semiconduct PECVD and HDPCVD Processes

NANOPURE® HP9600은 반도체 공정을 위해 특별히 개발되어진 제품입니다.
NANOPURE® HP9600은 특히 가혹한 플라즈마 환경 및 기계적 데미지에 의한 낮은 식각율로 파티클 발생으로 인한 문제를 최소화하기 위하여 설계되었습니다.
또한 우수한 영구압축복원율과 뛰어난 기계적 특성으로 씰의 수명을 연장시켜 높은 공정수율을 제공하며, ‘Bonded gate valve seal’로 적합합니다.
NANOPURE® HP9600는 최대 300℃에서 사용 가능합니다.

Features & Benefit

  • Outstanding plasma resistance in highly corrosive flurine environments with minimal sealdegradation
  • Excellent surface resistance for minimal particulation and sealing integrity
  • High purity for minimal contamination risk
  • Minimal compression set at elevated temperatures ensures seal integrity
  • Extended equipment uptime with added reliability in dry applications

Suggested Applications

  • Deposition (CVD, PECVD, HDPCVD, PEALD)
  • Plasma etch (fluorine species)
  • Bonded gate valves / slit valve door seals

Typical Physical Properties

Color Black
Polymer Type Perfluoroelastomer
Hardness1), Shore A 78
Tensile Strength at Break2), MPa 20.9
Elongation at Break3), % 185
100% Modulus4), MPa 6.8
Compression Set5), %
70 hours @ 204℃ 14
70 hours @ 250℃ 30
70 hours @ 300℃  
70 hours @ 325℃  
Maximum Continuous Service,
Temperature, ℃
300
  1. ASTM D1415 (ISO 48)
  2. ASTM D412 (ISO 37)
  3. ASTM D412 (ISO 37)
  4. ASTM D412 (ISO 37)
  5. ASTM D395 Method B ; (ISO 815)

추천 사용 공정

이물에 대한 자유로움 , 내열 및 구동 최적화된 공정



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